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NTD4970N-35G相关型号
ON安森美热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • NTD4970N-35G

  • 制造商:ON Semiconductor
  • 批号:19+
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 38A IPAK
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

优势价格,NTD4970N-35G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装散装
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)8.5A(Ta),36A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)11 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)8.2nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)774pF @ 15V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.38W(Ta),24.6W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装I-PAK
  • 封装/外壳TO-251-3 短截引线,IPak

其它信息

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